Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6110A
Herstellerteilenummer | JAN1N6110A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6110A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6110A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 11.4V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 14.25V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 21V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 23.8A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | B, Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6110A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6110A-FT |
JANTXV1N6105AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6105US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6106AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6106US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6107AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6107US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6108AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6108US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6109AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6109US
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel