Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6147AUS
Herstellerteilenummer | JAN1N6147AUS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6147AUS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6147AUS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12.2V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 15.2V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 22.3V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 67.3A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, C |
Supplier Device Package | C, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6147AUS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6147AUS-FT |
JAN1N6120AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6120US
Microsemi Corporation
JAN1N6121
Microsemi Corporation
JAN1N6121A
Microsemi Corporation
JAN1N6121AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6121US
Microsemi Corporation
JAN1N6122
Microsemi Corporation
JAN1N6122A
Microsemi Corporation
JAN1N6122AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6122US
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel