Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6150
Herstellerteilenummer | JAN1N6150 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6150 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6150 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 16.7V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 19.86V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 32.03V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 46.74A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | C, Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6150 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6150-FT |
JAN1N6122AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6122US
Microsemi Corporation
JAN1N6123
Microsemi Corporation
JAN1N6123A
Microsemi Corporation
JAN1N6123AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6123US
Microsemi Corporation
JAN1N6124
Microsemi Corporation
JAN1N6124A
Microsemi Corporation
JAN1N6124AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6124US
Microsemi Corporation
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel