Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6165US
Herstellerteilenummer | JAN1N6165US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6165US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6165US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 69.2V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 82.18V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 131.36V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 11.4A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, C |
Supplier Device Package | C, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6165US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6165US-FT |
JAN1N6134A
Microsemi Corporation
JAN1N6134AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6134US
Microsemi Corporation
JAN1N6135
Microsemi Corporation
JAN1N6135A
Microsemi Corporation
JAN1N6135AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6135US
Microsemi Corporation
JAN1N6136
Microsemi Corporation
JAN1N6136A
Microsemi Corporation
JAN1N6136AUS
Microsemi Corporation
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel