Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6170A
Herstellerteilenummer | JAN1N6170A |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6170A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6170A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 1 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 114V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 142.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 206.3V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 7.3A |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | G, Axial |
Supplier Device Package | C, Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6170A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6170A-FT |
MXRT100KP75A
Microsemi Corporation
MXRT100KP75AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78A
Microsemi Corporation
MXRT100KP78AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP85A
Microsemi Corporation
MXRT100KP85AE3
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel