Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6461US
Herstellerteilenummer | JAN1N6461US |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6461US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/551 |
JAN1N6461US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 5.6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 9V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 315A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6461US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6461US-FT |
JAN1N6141
Microsemi Corporation
JAN1N6141AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6141US
Microsemi Corporation
JAN1N6142
Microsemi Corporation
JAN1N6142AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6142US
Microsemi Corporation
JAN1N6143
Microsemi Corporation
JAN1N6143AUS
Microsemi Corporation
JAN1N6143US
Microsemi Corporation
JAN1N6144
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation