Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / JAN1N6471
Herstellerteilenummer | JAN1N6471 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N6471 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/552 |
JAN1N6471 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 13.6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 22.6V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 374A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 1500W (1.5kW) |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | G, Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6471 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N6471-FT |
JANTXV1N6129AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6130AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6131AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6132AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6133AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6134AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6135AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6136AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6137AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N6461US
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
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APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel