Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N649-1
Herstellerteilenummer | JAN1N649-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N649-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/240 |
JAN1N649-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 400mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50nA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N649-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N649-1-FT |
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DD6
Infineon Technologies
IRD3CH82DF6
Infineon Technologies
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
IRD3CH9DD6
Infineon Technologies
IRD3CH9DF6
Infineon Technologies
IRKE166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation