Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JAN1N649-1
Herstellerteilenummer | JAN1N649-1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN1N649-1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/240 |
JAN1N649-1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 400mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50nA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N649-1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN1N649-1-FT |
IRD3CH82DB6
Infineon Technologies
IRD3CH82DD6
Infineon Technologies
IRD3CH82DF6
Infineon Technologies
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
IRD3CH9DD6
Infineon Technologies
IRD3CH9DF6
Infineon Technologies
IRKE166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKE166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel