Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3506L
Herstellerteilenummer | JAN2N3506L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N3506L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N3506L-FT |
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
JAN2N2905
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUA
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel