Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3506L
Herstellerteilenummer | JAN2N3506L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N3506L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N3506L-FT |
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
JAN2N2904A
Microsemi Corporation
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
JAN2N2905
Microsemi Corporation
JAN2N2906AUA
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-3FGG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-Z1VQG100I
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EP4CGX75DF27I7
Intel
5SGXMABK3H40C4N
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XC7A15T-2CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE55F29C8
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