Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3506L
Herstellerteilenummer | JAN2N3506L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N3506L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/349 |
JAN2N3506L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 1.5A, 2V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3506L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N3506L-FT |
JAN2N2221AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUA
Microsemi Corporation
JAN2N2369AUB
Microsemi Corporation
JAN2N2484UA
Microsemi Corporation
JAN2N2484UB
Microsemi Corporation
JAN2N2904
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN2N2904AL
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN2N2906AUA
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LCMXO2-7000ZE-3TG144I
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XC3S400-4FG320I
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XC6SLX9-3FTG256C
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XCV300-5FG456C
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LFE2-12E-5Q208C
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EP4CGX110CF23C7
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EPF10K30AFC256-2N
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EP1S80F1020I7
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