Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3637L
Herstellerteilenummer | JAN2N3637L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N3637L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JAN2N3637L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 175V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3637L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N3637L-FT |
2SB1649
Sanken
2SC4300
Sanken
2SC4388
Sanken
2SC4445
Sanken
2SC5099
Sanken
2SC5101
Sanken
2SD2045
Sanken
2SD2082
Sanken
2SD2438
Sanken
2SD2439
Sanken
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel