Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N5416S
Herstellerteilenummer | JAN2N5416S |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N5416S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JAN2N5416S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 300V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 750mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5416S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N5416S-FT |
CZT5551E BK
Central Semiconductor Corp
CZT5551E TR
Central Semiconductor Corp
CZTUX87 BK
Central Semiconductor Corp
CZTUX87 TR
Central Semiconductor Corp
DXTN07025BFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07045DFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07060BFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07100BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07025BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07040CFG-7
Diodes Incorporated
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel