Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6250
Herstellerteilenummer | JAN2N6250 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N6250 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/510 |
JAN2N6250 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 10A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 275V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.25A, 10A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 8 @ 10A, 3V |
Leistung max | 6W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-3 |
Supplier Device Package | TO-3 (TO-204AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6250 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N6250-FT |
FJZ733GTF
ON Semiconductor
FJZ733LTF
ON Semiconductor
FJZ733OTF
ON Semiconductor
FJZ733RTF
ON Semiconductor
FJZ733YTF
ON Semiconductor
FJZ945GTF
ON Semiconductor
FJZ945LTF
ON Semiconductor
FJZ945OTF
ON Semiconductor
FJZ945YTF
ON Semiconductor
FMS1AT148
Rohm Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel