Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6299
Herstellerteilenummer | JAN2N6299 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N6299 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/540 |
JAN2N6299 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 2V @ 16mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
Leistung max | 64W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-213AA, TO-66-2 |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6299 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N6299-FT |
JANTX2N2906A
Microsemi Corporation
JANS2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2222AL
Microsemi Corporation
JAN2N2906A
Microsemi Corporation
JAN2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2369A
Microsemi Corporation
JANTX2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N720A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N2906A
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel