Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6308
Herstellerteilenummer | JAN2N6308 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N6308 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/498 |
JAN2N6308 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 350V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 5V @ 2.67A, 8A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 12 @ 3A, 5V |
Leistung max | 125W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-204AA, TO-3 |
Supplier Device Package | TO-204AA (TO-3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6308 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N6308-FT |
JANTX2N3500L
Microsemi Corporation
JANTX2N3501L
Microsemi Corporation
JANTX2N3635
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JANTX2N3635L
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JANTX2N3637L
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JANTX2N4449
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JANTX2N5581
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JANTX2N918UB
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LCMXO2-2000HE-5TG144C
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XA3S1600E-4FGG484I
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M2GL005-1VF400I
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LCMXO640E-3FTN256C
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EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
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LFE2-50E-5F672I
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LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel