Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6351
Herstellerteilenummer | JAN2N6351 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N6351 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/472 |
JAN2N6351 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 150V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AC, TO-33-4 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-33 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6351 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N6351-FT |
JANTX2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2906A
Microsemi Corporation
JANS2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2222AL
Microsemi Corporation
JAN2N2906A
Microsemi Corporation
JAN2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2369A
Microsemi Corporation
JANTX2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N720A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AL
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel