Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6383
Herstellerteilenummer | JAN2N6383 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N6383 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/523 |
JAN2N6383 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 10A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
Leistung max | 6W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-204AA, TO-3 |
Supplier Device Package | TO-204AA (TO-3) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6383 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N6383-FT |
JANTX2N3501L
Microsemi Corporation
JANTX2N3635
Microsemi Corporation
JANTX2N3635L
Microsemi Corporation
JANTX2N3637L
Microsemi Corporation
JANTX2N3737UB
Microsemi Corporation
JANTX2N4033UB
Microsemi Corporation
JANTX2N4449
Microsemi Corporation
JANTX2N5581
Microsemi Corporation
JANTX2N918UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2218
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel