Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N7373
Herstellerteilenummer | JAN2N7373 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N7373 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/613 |
JAN2N7373 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 5A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 2.5A, 5V |
Leistung max | 4W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Supplier Device Package | TO-254AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N7373 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N7373-FT |
HD1A3M(0)-T1-AZ
Renesas Electronics America
JAN2N1016B
Microsemi Corporation
JAN2N1016C
Microsemi Corporation
JAN2N1016D
Microsemi Corporation
JAN2N1479
Microsemi Corporation
JAN2N1485
Microsemi Corporation
JAN2N1486
Microsemi Corporation
JAN2N1489
Microsemi Corporation
JAN2N1613
Microsemi Corporation
JAN2N1711
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
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M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel