Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N918
Herstellerteilenummer | JAN2N918 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JAN2N918 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/301 |
JAN2N918 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 400mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-72-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-72 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N918 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JAN2N918-FT |
JAN2N1016B
Microsemi Corporation
JAN2N1016C
Microsemi Corporation
JAN2N1016D
Microsemi Corporation
JAN2N1479
Microsemi Corporation
JAN2N1485
Microsemi Corporation
JAN2N1486
Microsemi Corporation
JAN2N1489
Microsemi Corporation
JAN2N1613
Microsemi Corporation
JAN2N1711
Microsemi Corporation
JAN2N2218A
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel