Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JANS1N6316/TR
Herstellerteilenummer | JANS1N6316/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANS1N6316/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6316/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 17 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1.5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 (DO-204AH) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6316/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANS1N6316/TR-FT |
JAN1N6314DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6315C
Microsemi Corporation
JAN1N6315CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6315D
Microsemi Corporation
JAN1N6315DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6316/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6316C
Microsemi Corporation
JAN1N6316CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6316D
Microsemi Corporation
JAN1N6316DUS
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel