Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JANS1N6317US/TR
Herstellerteilenummer | JANS1N6317US/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANS1N6317US/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6317US/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 14 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6317US/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANS1N6317US/TR-FT |
JAN1N6317C
Microsemi Corporation
JAN1N6317CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317D
Microsemi Corporation
JAN1N6317DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6317US
Microsemi Corporation
JAN1N6318C
Microsemi Corporation
JAN1N6318CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6318D
Microsemi Corporation
JAN1N6318DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6319C
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel