Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JANS1N6318US/TR
Herstellerteilenummer | JANS1N6318US/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANS1N6318US/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6318US/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 8 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 2.5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6318US/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANS1N6318US/TR-FT |
JAN1N6318CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6318D
Microsemi Corporation
JAN1N6318DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6319C
Microsemi Corporation
JAN1N6319CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6319D
Microsemi Corporation
JAN1N6319DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6320/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6320C
Microsemi Corporation
JAN1N6320CUS
Microsemi Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQG240
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C40U484A7N
Intel
EP3C80U484C6
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
LCMXO2-1200UHC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31C4N
Intel