Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JANS1N6319US/TR
Herstellerteilenummer | JANS1N6319US/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANS1N6319US/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/533 |
JANS1N6319US/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 3 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 3.5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6319US/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANS1N6319US/TR-FT |
JAN1N6319DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6320/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6320C
Microsemi Corporation
JAN1N6320CUS
Microsemi Corporation
JAN1N6320DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6320US/TR
Microsemi Corporation
JAN1N6337
Microsemi Corporation
JAN1N6337DUS
Microsemi Corporation
JAN1N6338US
Microsemi Corporation
JAN1N6340
Microsemi Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel