Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / JANS1N6491US
Herstellerteilenummer | JANS1N6491US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANS1N6491US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/406 |
JANS1N6491US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 1.5W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | D-5A |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6491US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANS1N6491US-FT |
JAN1N6343US
Microsemi Corporation
JAN1N6344
Microsemi Corporation
JAN1N6346US
Microsemi Corporation
JAN1N6347US
Microsemi Corporation
JAN1N6348
Microsemi Corporation
JAN1N6348US
Microsemi Corporation
JAN1N6349US
Microsemi Corporation
JAN1N6350US
Microsemi Corporation
JAN1N6351
Microsemi Corporation
JAN1N6351US
Microsemi Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel