Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N5415
Herstellerteilenummer | JANS2N5415 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANS2N5415 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JANS2N5415 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 200V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 750mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5415 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANS2N5415-FT |
JAN2N2432A
Microsemi Corporation
JAN2N2906AL
Microsemi Corporation
JAN2N3250A
Microsemi Corporation
JAN2N3251A
Microsemi Corporation
JAN2N3251AUB
Microsemi Corporation
JAN2N335
Microsemi Corporation
JAN2N3420
Microsemi Corporation
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
JAN2N3467L
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
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10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel