Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N5416
Herstellerteilenummer | JANS2N5416 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANS2N5416 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
JANS2N5416 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | - |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | - |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | - |
Leistung max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N5416 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANS2N5416-FT |
JAN2N3250A
Microsemi Corporation
JAN2N3251A
Microsemi Corporation
JAN2N3251AUB
Microsemi Corporation
JAN2N335
Microsemi Corporation
JAN2N3420
Microsemi Corporation
JAN2N3441
Microsemi Corporation
JAN2N3442
Microsemi Corporation
JAN2N3467L
Microsemi Corporation
JAN2N3584
Microsemi Corporation
JAN2N3585
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel