Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / JANTXV1N5809US
Herstellerteilenummer | JANTXV1N5809US |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV1N5809US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTXV1N5809US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5809US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV1N5809US-FT |
STPSC12065G-TR
STMicroelectronics
STPSC12065G2Y-TR
STMicroelectronics
STPSC8H065G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2-TR
STMicroelectronics
STTH30RQ06G2Y-TR
STMicroelectronics
VS-60HFUR-300
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD500N45MSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
10A01-TP
Micro Commercial Co
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel