Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N2219
Herstellerteilenummer | JANTXV2N2219 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N2219 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/251 |
JANTXV2N2219 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 800mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Leistung max | 800mW |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-205AD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N2219 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N2219-FT |
PMBS3906,235
Nexperia USA Inc.
PMBT2222,215
Nexperia USA Inc.
PMBT2222,235
Nexperia USA Inc.
PMBT2222A,215
Nexperia USA Inc.
PMBT2369,235
Nexperia USA Inc.
PMBT2907A,235
Nexperia USA Inc.
PMBT3906,235
Nexperia USA Inc.
PMBT4401,185
Nexperia USA Inc.
PMBT4401,235
Nexperia USA Inc.
PMBT4403Z
Nexperia USA Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel