Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3636
Herstellerteilenummer | JANTXV2N3636 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N3636 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JANTXV2N3636 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 175V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-39 |
Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3636 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N3636-FT |
JANTX2N2905
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUA/TR
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUB/TR
Microsemi Corporation
JANTX2N2944A
Microsemi Corporation
JANTX2N3019/TR
Microsemi Corporation
JANTX2N3250A
Microsemi Corporation
JANTX2N3251AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N3420
Microsemi Corporation
JANTX2N3421S
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel