Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / JANTXV2N4957
Herstellerteilenummer | JANTXV2N4957 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N4957 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
JANTXV2N4957 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | PNP |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Frequenz - Übergang | - |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
Gewinnen | 25dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 30mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-72-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-72 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N4957 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N4957-FT |
60180
Microsemi Corporation
60189
Microsemi Corporation
60205
Microsemi Corporation
60206
Microsemi Corporation
61032Q
Microsemi Corporation
61044
Microsemi Corporation
61045
Microsemi Corporation
61046
Microsemi Corporation
61070
Microsemi Corporation
61074
Microsemi Corporation
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C3N
Intel
EP3SL200H780C4LN
Intel
XC2V1500-5BGG575I
Xilinx Inc.
XC5VLX30-2FF324C
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C6N
Intel
EP4SGX230DF29C2XN
Intel
EPF10K100ARC240-1N
Intel