Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N6051
Herstellerteilenummer | JANTXV2N6051 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N6051 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/501 |
JANTXV2N6051 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 12A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Leistung max | 150W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-3 |
Supplier Device Package | TO-3 (TO-204AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6051 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N6051-FT |
JAN2N6384
Microsemi Corporation
JAN2N6674
Microsemi Corporation
JAN2N6675
Microsemi Corporation
JAN2N6676
Microsemi Corporation
JAN2N6678
Microsemi Corporation
JAN2N7369
Microsemi Corporation
APT27ZTR-G1
Diodes Incorporated
DSS5220T-13
Diodes Incorporated
DSS5220T-7
Diodes Incorporated
DXTN3C60PS-13
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel