Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / JANTXV2N6766
Herstellerteilenummer | JANTXV2N6766 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N6766 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JANTXV2N6766 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3 |
Paket / fall | TO-204AE |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6766 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N6766-FT |
IXUV170N075
IXYS
IXUV170N075S
IXYS
JAN2N6756
Microsemi Corporation
JAN2N6758
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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JAN2N6764T1
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JAN2N6766
Microsemi Corporation
JAN2N6766T1
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