Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / JANTXV2N6790
Herstellerteilenummer | JANTXV2N6790 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N6790 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/555 |
JANTXV2N6790 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 800mW (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
Paket / fall | TO-205AF Metal Can |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6790 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N6790-FT |
JAN2N6770
Microsemi Corporation
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
JAN2N6782
Microsemi Corporation
JAN2N6782U
Microsemi Corporation
JAN2N6784
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JAN2N6784U
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JAN2N6788
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JAN2N6788U
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JAN2N6790
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JAN2N6790U
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A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
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