Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / JANTXV2N6798
Herstellerteilenummer | JANTXV2N6798 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-JANTXV2N6798 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
JANTXV2N6798 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
Paket / fall | TO-205AF Metal Can |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6798 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | JANTXV2N6798-FT |
JAN2N6784
Microsemi Corporation
JAN2N6784U
Microsemi Corporation
JAN2N6788
Microsemi Corporation
JAN2N6788U
Microsemi Corporation
JAN2N6790
Microsemi Corporation
JAN2N6790U
Microsemi Corporation
JAN2N6796
Microsemi Corporation
JAN2N6796U
Microsemi Corporation
JAN2N6798
Microsemi Corporation
JAN2N6798U
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
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LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation