Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / KBU3510-G
Herstellerteilenummer | KBU3510-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-KBU3510-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KBU3510-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, KBU |
Supplier Device Package | KBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU3510-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KBU3510-G-FT |
GBJ806
Diodes Incorporated
GBJ810
Diodes Incorporated
DF1502S-T
Diodes Incorporated
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
DF1504S-T
Diodes Incorporated
DF01S-T
Diodes Incorporated
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
EP4CE22F17C6
Intel
EP3SE260F1152C4LN
Intel
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1X
Intel