Herstellerteilenummer | KBU6D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-KBU6D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KBU6D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, KBU |
Supplier Device Package | KBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU6D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KBU6D-FT |
VUO34-18NO1
IXYS
VUO52-08NO1
IXYS
VUO52-12NO1
IXYS
VUO52-14NO1
IXYS
VUO52-18NO1
IXYS
VUO52-20NO1
IXYS
VUO80-08NO1
IXYS
VUO80-12NO1
IXYS
VUO80-14NO1
IXYS
VUO80-16NO1
IXYS
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation