Herstellerteilenummer | KBU6M |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-KBU6M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KBU6M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-SIP, KBU |
Supplier Device Package | KBU |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU6M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KBU6M-FT |
VUO34-12NO1
IXYS
VUO34-14NO1
IXYS
VUO34-16NO1
IXYS
VUO34-18NO1
IXYS
VUO52-08NO1
IXYS
VUO52-12NO1
IXYS
VUO52-14NO1
IXYS
VUO52-18NO1
IXYS
VUO52-20NO1
IXYS
VUO80-08NO1
IXYS
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel