Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / KSB811GBU
Herstellerteilenummer | KSB811GBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-KSB811GBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KSB811GBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 25V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 350mW |
Frequenz - Übergang | 110MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB811GBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KSB811GBU-FT |
KSC2682OSTU
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Microsemi Corporation
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