Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / KSD2012GTU
Herstellerteilenummer | KSD2012GTU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-KSD2012GTU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KSD2012GTU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 150 @ 500mA, 5V |
Leistung max | 25W |
Frequenz - Übergang | 3MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Supplier Device Package | TO-220F |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD2012GTU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KSD2012GTU-FT |
BCP 68-25 E6327
Infineon Technologies
BCP 68-25 H6327
Infineon Technologies
BCP 69-16 E6327
Infineon Technologies
BCP49E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCP49H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCP49H6359XTMA1
Infineon Technologies
BCP49H6419XTMA1
Infineon Technologies
BCP5116E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCP5116E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCP5116H6327XTSA1
Infineon Technologies