Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / KSH112GTM_NB82051
Herstellerteilenummer | KSH112GTM_NB82051 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-KSH112GTM_NB82051 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KSH112GTM_NB82051 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | D-Pak |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSH112GTM_NB82051 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KSH112GTM_NB82051-FT |
KSA1370FBU
ON Semiconductor
KSA910OBU
ON Semiconductor
KSA910YBU
ON Semiconductor
KSA916OBU
ON Semiconductor
KSA916YBU
ON Semiconductor
KSA928AOBU
ON Semiconductor
KSA928AYBU
ON Semiconductor
KSA931OBU
ON Semiconductor
KSA931YBU
ON Semiconductor
KSC2310OBU
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel