Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / KSH112GTM_SB82051
Herstellerteilenummer | KSH112GTM_SB82051 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-KSH112GTM_SB82051 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KSH112GTM_SB82051 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | D-Pak |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSH112GTM_SB82051 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KSH112GTM_SB82051-FT |
KSA910OBU
ON Semiconductor
KSA910YBU
ON Semiconductor
KSA916OBU
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KSA916YBU
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KSC2310OBU
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KSC2310RBU
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EX128-PTQG100I
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EP4CE75F23I8LN
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EPF10K30AFC256-3
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10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation