Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / KSH112ITU
Herstellerteilenummer | KSH112ITU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-KSH112ITU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KSH112ITU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Supplier Device Package | I-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSH112ITU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KSH112ITU-FT |
KSD526O
ON Semiconductor
KSD526OTU
ON Semiconductor
KSD560OTU
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KSD560R
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KSD560RTU
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KSD568OTU
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XC6SLX100-L1FG676C
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XC2V8000-4FF1517I
Xilinx Inc.
EP20K600CB672C8N
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5SGXMA5K2F35C1N
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M1AGL1000V5-CS281I
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AGL400V5-CS196I
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5AGTFD3H3F35I5N
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5CGXFC4C6M13C7N
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