Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / KSH112TM
Herstellerteilenummer | KSH112TM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-KSH112TM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
KSH112TM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 2A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Leistung max | 1.75W |
Frequenz - Übergang | 25MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | D-Pak |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSH112TM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | KSH112TM-FT |
BCX5216E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX52E6327HTSA1
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BCX5310E6327HTSA1
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BCX5316E6327HTSA1
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BCX5410E6327
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BCX55E6327HTSA1
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BCX5610H6327XTSA1
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