Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - TRIACs / L0103NEAP
Herstellerteilenummer | L0103NEAP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-L0103NEAP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
L0103NEAP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Triac-Typ | Logic - Sensitive Gate |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 1A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 10A, 12A |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 3mA |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 7mA |
Aufbau | Single |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L0103NEAP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | L0103NEAP-FT |
Z0107NA/DG,116
WeEn Semiconductors
ACS108-6SA-TR
STMicroelectronics
ACT108-600E,126
WeEn Semiconductors
MAC97A6,412
WeEn Semiconductors
L401E3
Littelfuse Inc.
Z00607MA 1BA2
STMicroelectronics
ACS102-6TA-TR
STMicroelectronics
Z0109MA 1AA2
STMicroelectronics
L401E5
Littelfuse Inc.
ACS108-8SA
STMicroelectronics
LFE2-6SE-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQ240I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672I4
Intel
EP4S100G3F45I2N
Intel
5SGXMA4H1F35C2N
Intel
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel
5SGXMA3H1F35I2N
Intel