Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - TRIACs / L0109DERP
Herstellerteilenummer | L0109DERP |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-L0109DERP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
L0109DERP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Triac-Typ | Logic - Sensitive Gate |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 1A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.3V |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 10A, 12A |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 10mA |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 10mA |
Aufbau | Single |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L0109DERP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | L0109DERP-FT |
Z0107NA/DG,116
WeEn Semiconductors
ACS108-6SA-TR
STMicroelectronics
ACT108-600E,126
WeEn Semiconductors
MAC97A6,412
WeEn Semiconductors
L401E3
Littelfuse Inc.
Z00607MA 1BA2
STMicroelectronics
ACS102-6TA-TR
STMicroelectronics
Z0109MA 1AA2
STMicroelectronics
L401E5
Littelfuse Inc.
ACS108-8SA
STMicroelectronics
XC7S75-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
A3P600-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256I
Microsemi Corporation
10M40SCE144C8G
Intel
5SGXEB5R1F43C2N
Intel
A42MX09-3PLG84I
Microsemi Corporation
LAE3-35EA-6FN672E
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-5M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12Q240C6
Intel