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Herstellerteilenummer | LAL02NA470K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LAL02NA470K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LA, L Type |
LAL02NA470K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 47µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 70mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 5.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 2.52MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 12MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02NA470K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LAL02NA470K-FT |
IRF03RU821K
Vishay Dale
IRF03RUR22K
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IRF03RUR22M
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IRF03SH100K
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IRF03SH1R0K
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IRF03SH220K
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation