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Herstellerteilenummer | LAL03TAR82M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LAL03TAR82M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LA, L Type |
LAL03TAR82M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 820nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 290mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 740 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 170MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TAR82M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LAL03TAR82M-FT |
LAL03KHR27M
Taiyo Yuden
LAL03KHR33M
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LAL03NA100K
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LAL03NA101K
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LAL03NA102K
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XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel