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Herstellerteilenummer | LAL04NAR33M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LAL04NAR33M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LA, L Type |
LAL04NAR33M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 330nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.28A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 250MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04NAR33M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LAL04NAR33M-FT |
LAL03VB5R6K
Taiyo Yuden
LAL03VB680K
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LAL03VB681K
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EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel