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Herstellerteilenummer | LAN02KR101J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LAN02KR101J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LA, N Type |
LAN02KR101J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 100µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 120mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 5.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 8MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.094" Dia x 0.142" L (2.40mm x 3.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAN02KR101J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LAN02KR101J-FT |
LAL04NAR39M
Taiyo Yuden
LAL04NAR47M
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LAL04NAR56M
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LAL04NAR68M
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LAL04SK121K
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A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
Intel
XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
Intel