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Herstellerteilenummer | LAV35VB271J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LAV35VB271J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LA, V Type |
LAV35VB271J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 270µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 105mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 11 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 796kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 4.6MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 796kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.236" Dia (6.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB271J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LAV35VB271J-FT |
LAN02TAR18K
Taiyo Yuden
LAN02TAR22K
Taiyo Yuden
LAN02TAR27K
Taiyo Yuden
LAN02TAR33K
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LAN02TAR68K
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LAN02TAR82K
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LAP02KR100K
Taiyo Yuden
XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel