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Herstellerteilenummer | LAV35VB330K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-LAV35VB330K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LA, V Type |
LAV35VB330K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | - |
Induktivität | 33µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 235mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 11MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.236" Dia (6.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB330K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | LAV35VB330K-FT |
LAN02TAR33K
Taiyo Yuden
LAN02TAR39K
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LAN02TAR47K
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LAP02KR120K
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LAP02KR121K
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel